薄膜晶體管及電子設備的制作方法

本發明的一實施方式涉及包括氧化物半導體膜的薄膜晶體管。另外，本發明的一實施方式涉及包括薄膜晶體管的電子設備。

背景技術：

1、近年來，取代非晶硅、低溫多晶硅及單晶硅等硅半導體膜而使用氧化物半導體膜作為溝道的薄膜晶體管的開發不斷發展(例如參見專利文獻1～6)。這樣的包括氧化物半導體膜的薄膜晶體管與包括非晶硅膜的薄膜晶體管同樣能夠以簡單的結構且通過低溫工藝來形成。另外，已知包括氧化物半導體膜的薄膜晶體管相較于包括非晶硅膜的薄膜晶體管而言具有高的遷移率。

2、現有技術文獻

3、專利文獻

4、專利文獻1：日本特開2021-141338號公報

5、專利文獻2：日本特開2014-099601號公報

6、專利文獻3：日本特開2021-153196號公報

7、專利文獻4：日本特開2018-006730號公報

8、專利文獻5：日本特開2016-184771號公報

9、專利文獻6：日本特開2021-108405號公報

技術實現思路

1、發明所要解決的課題

2、然而，包括現有的氧化物半導體膜的薄膜晶體管的場效應遷移率即便在使用具有結晶性的氧化物半導體膜的情況下也沒有那么大。因此，期望對薄膜晶體管中使用的氧化物半導體膜的晶體結構進行改良來提高薄膜晶體管的場效應遷移率。

3、本發明的一實施方式鑒于上述問題而作成，其目的之一在于提供包括具有新型晶體結構的氧化物半導體膜的薄膜晶體管。另外，本發明的一實施方式涉及包括薄膜晶體管的電子設備。

4、用于解決課題的手段

5、本發明的一實施方式涉及的薄膜晶體管包括基板、設置在基板之上的氧化金屬層、與氧化金屬層相接而設置且具有結晶性的氧化物半導體層、與氧化物半導體層重疊設置的柵電極、和設置在氧化物半導體層與柵電極之間的絕緣層，氧化物半導體層包含多個晶粒，該多個晶粒分別包括通過ebsd(電子背散射衍射)法取得的晶體取向＜001＞、晶體取向＜101＞及晶體取向＜111＞中的至少一者。

6、本發明的一實施方式涉及的電子設備包括上述薄膜晶體管。

技術特征：

1.薄膜晶體管，其包括：

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，

6.根據權利要求1～5中任一項所述的薄膜晶體管，其中，

7.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，

8.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，

9.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，

10.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，

11.根據權利要求10所述的薄膜晶體管，其中，

12.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，

13.根據權利要求1～12中任一項所述的薄膜晶體管，其中，

14.根據權利要求13所述的薄膜晶體管，其中，

15.根據權利要求14所述的薄膜晶體管，其中，

16.根據權利要求15所述的薄膜晶體管，其中，

17.電子設備，其包括權利要求1～16中任一項所述的薄膜晶體管。

技術總結
薄膜晶體管包括基板、設置在基板之上的氧化金屬層、與氧化金屬層相接而設置且具有結晶性的氧化物半導體層、與氧化物半導體層重疊設置的柵電極、和設置在氧化物半導體層與柵電極之間的絕緣層，氧化物半導體層包含多個晶粒，該多個晶粒分別包括通過EBSD(電子背散射衍射)法取得的晶體取向＜001＞、晶體取向＜101＞及晶體取向＜111＞中的至少一者。

技術研發人員：渡壁創,津吹將志,佐佐木俊成,田丸尊也,川嶋繪美,霍間勇輝,佐佐木大地
受保護的技術使用者：株式會社日本顯示器
技術研發日：
技術公布日：2024/10/21